Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/20.500.12104/34576
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dc.contributor.advisorHéctor Pérez Ladrón de Guevara
dc.contributor.authorValadez Diaz, Victor Hugo
dc.contributor.editorCULAGOS
dc.contributor.editorUniversidad de Guadalajara
dc.contributor.otherIngeniero mecatronico
dc.date.accessioned2015-09-09T18:12:26Z-
dc.date.available2015-09-09T18:12:26Z-
dc.date.submitted2012
dc.identifier.urihttp://wdg.biblio.udg.mx
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12104/34576-
dc.formatapplication/PDF
dc.language.isospa
dc.publisherBiblioteca Digital wdg.biblio
dc.publisherUniversidad de Guadalajara
dc.rights.urihttp://wdg.biblio.udg.mx/politicasdepublicacion.php
dc.titleCrecimiento y caracterización de aleaciones de Ge1-xSnx en fase monocristalina, para su aplicación en la elaboración de dispositivos optoelectrónicos.
dc.typeLicenciatura
dc.typeTesis
dc.rights.holderUniversidad de Guadalajara
dc.rights.holderValadez Diaz, Victor Hugo
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